MUN5113T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11539+ | 1.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5113T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції MUN5113T1G за ціною від 1.15 грн до 4.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MUN5113T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MUN5113T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MUN5113T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5113T1G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MUN5113T1G | Виробник : ON | 09+ |
на замовлення 291018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MUN5113T1G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 266900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MUN5113T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MUN5113T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MUN5113T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MUN5113T1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V |
товар відсутній |