Продукція > MUN > MUN5211DW1T1

MUN5211DW1T1


MUN5211DW1T1%20Series.pdf Виробник:

на замовлення 597000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5211DW1T1

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.

Інші пропозиції MUN5211DW1T1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5211DW1T1 MUN5211DW1T1 Виробник : onsemi MUN5211DW1T1%20Series.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5211DW1T1 MUN5211DW1T1 Виробник : onsemi DTC114ED_D-2310747.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual
товар відсутній