Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5212DW1T1G
MUN5212DW1T1G

MUN5212DW1T1G ON Semiconductor

dtc124ed-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5212DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

Інші пропозиції MUN5212DW1T1G за ціною від 1.49 грн до 20.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.43 грн
9000+ 2.04 грн
24000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3668+3.18 грн
9000+ 2.64 грн
24000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 3668
MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013749960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
43+13.66 грн
53+ 10.94 грн
54+ 10.77 грн
116+ 4.81 грн
250+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 43
MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013749960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+15.31 грн
72+ 10.38 грн
179+ 4.18 грн
500+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 49
MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+15.79 грн
55+ 10.68 грн
132+ 4.39 грн
1000+ 2.94 грн
3000+ 2.09 грн
9000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 37
MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G Виробник : onsemi DTC124ED_D-2310718.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 117819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.33 грн
27+ 11.72 грн
100+ 4.26 грн
1000+ 3 грн
3000+ 2.53 грн
9000+ 2.13 грн
24000+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G Виробник : onsemi dtc124ed-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.89 грн
20+ 13.87 грн
100+ 6.77 грн
500+ 5.3 грн
1000+ 3.68 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5212DW1T1G Виробник : ON-Semicoductor dtc124ed-d.pdf 2NPN 50V 100mA 250mW MUN5212DW1T1G ONSemiconductor TMUN5212dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
400+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 400
MUN5212DW1T1G Виробник : ONSEMI DTC124ED-D.PDF Description: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13888+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 13888
MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G Виробник : onsemi dtc124ed-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній