MUN5213DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5213DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MUN5213DW1T1G за ціною від 2.15 грн до 21.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN5213DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
 Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 140 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MUN5213DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MUN5213DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 140 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MUN5213DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 29475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MUN5213DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 41095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MUN5213DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V |
на замовлення 12575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
|
MUN5213DW1T1G Код товару: 174648 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|