MUN5232DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5232DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.
Інші пропозиції MUN5232DW1T1G за ціною від 1.97 грн до 20.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN5232DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
 Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.385W; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Case: SOT363 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MUN5232DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MUN5232DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.385W; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Case: SOT363 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MUN5232DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 9731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MUN5232DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |