MUN5235DW1T1G

MUN5235DW1T1G ON Semiconductor


dtc123jd-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5235DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

Інші пропозиції MUN5235DW1T1G за ціною від 1.6 грн до 18.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : onsemi dtc123jd-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.61 грн
6000+ 2.33 грн
9000+ 1.94 грн
30000+ 1.78 грн
75000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.63 грн
9000+ 2.18 грн
24000+ 2.02 грн
45000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4121+2.83 грн
9000+ 2.35 грн
24000+ 2.18 грн
45000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 4121
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3857+3.03 грн
9000+ 2.56 грн
24000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3857
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.04 грн
9000+ 2.57 грн
24000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ONSEMI 1813819.pdf Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : onsemi dtc123jd-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 136817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.13 грн
28+ 10.27 грн
100+ 5.01 грн
500+ 3.92 грн
1000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : onsemi DTC123JD_D-2311149.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 10490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.63 грн
27+ 11.41 грн
100+ 4.06 грн
1000+ 2.86 грн
3000+ 2.2 грн
9000+ 2.06 грн
24000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ONSEMI 1813819.pdf Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+18.38 грн
60+ 12.63 грн
150+ 5 грн
500+ 4.55 грн
Мінімальне замовлення: 41
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5235DW1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5235DW1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній