MUN5312DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5312DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції MUN5312DW1T1G за ціною від 1.14 грн до 23.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN5312DW1T1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5312DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5312DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 439 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5312DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 32850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5312DW1T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP |
на замовлення 18695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MUN5312DW1T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5312DW1T1G TMUN5312dw кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|