MUN5314DW1T1G

MUN5314DW1T1G ON Semiconductor


dtc114yp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5314DW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MUN5314DW1T1G за ціною від 1.54 грн до 16.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G Виробник : onsemi dtc114yp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.82 грн
6000+ 2.52 грн
9000+ 2.09 грн
30000+ 1.93 грн
75000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G Виробник : onsemi dtc114yp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 87287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+16.57 грн
25+ 11.1 грн
100+ 5.4 грн
500+ 4.23 грн
1000+ 2.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G Виробник : onsemi DTC114YP_D-2310821.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 89463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.63 грн
27+ 11.64 грн
100+ 4.33 грн
1000+ 3 грн
3000+ 2.2 грн
9000+ 1.93 грн
24000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
MUN5314DW1T1G Виробник : ON-Semicoductor dtc114yp-d.pdf TRANS 1 NPN / 1 PNP PRE-BIASED (DUAL) 100mA 50V MUN5314DW1T1G ON SEMI TMUN5314dw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5314DW1T1G-DTE.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114yp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114yp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5314DW1T1G-DTE.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній