NCP1392DDR2G onsemi
Виробник: onsemiDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 1A
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 32.08 грн |
| 5000+ | 29.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCP1392DDR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 500mA, Versorgungsspannung, min.: -V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 40ns, Ausgabeverzögerung: 20ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції NCP1392DDR2G за ціною від 28.96 грн до 97.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCP1392DDR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 500mA Versorgungsspannung, min.: -V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP1392DDR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 1A Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 8786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NCP1392DDR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers HV HALF-BRIDGE DRIVER |
на замовлення 4739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP1392DDR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 500mA Versorgungsspannung, min.: -V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NCP1392DDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 104890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
NCP1392DDR2G Код товару: 182311 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
NCP1392DDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Gate Power Driver IC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NCP1392DDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Gate Power Driver IC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NCP1392DDR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -1A÷500mA; 8÷17.5VDC; 600V Case: SO8 Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Voltage class: 600V Mounting: SMD Supply voltage: 8...17.5V DC Output current: -1A...500mA Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 40ns Pulse fall time: 20ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NCP1392DDR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -1A÷500mA; 8÷17.5VDC; 600V Case: SO8 Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Voltage class: 600V Mounting: SMD Supply voltage: 8...17.5V DC Output current: -1A...500mA Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 40ns Pulse fall time: 20ns |
товар відсутній |