NCP5111DR2G onsemi
Виробник: onsemiDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.75 грн |
| 5000+ | 33.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCP5111DR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 500mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 250mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 750ns, Ausgabeverzögerung: 100ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NCP5111DR2G за ціною від 32.58 грн до 106.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCP5111DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 750ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP5111DR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 7732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NCP5111DR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER |
на замовлення 8029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP5111DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 750ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NCP5111DR2G |
|
на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
NCP5111DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 0.5A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NCP5111DR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500÷250mA Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Case: SO8 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Number of channels: 2 Impulse rise time: 160ns Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Supply voltage: 10...20V DC Output current: -500...250mA Type of integrated circuit: driver Protection: undervoltage UVP Pulse fall time: 75ns Voltage class: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NCP5111DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NCP5111DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NCP5111DR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500÷250mA Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Case: SO8 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Number of channels: 2 Impulse rise time: 160ns Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Supply voltage: 10...20V DC Output current: -500...250mA Type of integrated circuit: driver Protection: undervoltage UVP Pulse fall time: 75ns Voltage class: 600V |
товар відсутній |