NCV1413BDR2G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 18.38 грн |
5000+ | 17.05 грн |
12500+ | 16.39 грн |
25000+ | 15.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCV1413BDR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Verlustleistung, NPN: -W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA.
Інші пропозиції NCV1413BDR2G за ціною від 16.41 грн до 60.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NCV1413BDR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Verlustleistung, NPN: -W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
на замовлення 3418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCV1413BDR2G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 16-Pin SOIC T/R |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCV1413BDR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: Drivers - integrated circuits Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: darlington; transistor array Case: SO16 Output current: 0.5A Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Number of channels: 7 Application: automotive industry; for inductive load Input voltage: 30V Output voltage: 50V |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCV1413BDR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: Drivers - integrated circuits Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: darlington; transistor array Case: SO16 Output current: 0.5A Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Number of channels: 7 Application: automotive industry; for inductive load Input voltage: 30V Output voltage: 50V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCV1413BDR2G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 7 NPN Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Supplier Device Package: 16-SOIC Grade: Automotive Part Status: Active |
на замовлення 39154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCV1413BDR2G | Виробник : onsemi | Darlington Transistors High Voltage High Current Darlington |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCV1413BDR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Verlustleistung, NPN: -W productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
на замовлення 3418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCV1413BDR2G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 16-Pin SOIC T/R |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NCV1413BDR2G | Виробник : ON | 09+ |
на замовлення 10018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NCV1413BDR2G | Виробник : ON | 09+ SOP16 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NCV1413BDR2G Код товару: 176359 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
NCV1413BDR2G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 16-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NCV1413BDR2G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive 16-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |