NDS352AP

NDS352AP ON Semiconductor


nds352ap-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS352AP ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: true, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.

Інші пропозиції NDS352AP за ціною від 7.77 грн до 34.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.95 грн
9000+ 8.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.45 грн
9000+ 9.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.7 грн
6000+ 8.87 грн
9000+ 8.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI 2304444.pdf Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.18 грн
9000+ 9.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.07 грн
6000+ 11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI NDS352AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+14.71 грн
70+ 11.86 грн
190+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.36 грн
6000+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI 2304444.pdf Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 18004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.3 грн
500+ 14.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI NDS352AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.07 грн
25+ 18.33 грн
70+ 14.23 грн
190+ 13.49 грн
3000+ 13.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
451+25.9 грн
608+ 19.22 грн
614+ 19.02 грн
792+ 14.22 грн
Мінімальне замовлення: 451
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.81 грн
12+ 23.72 грн
100+ 16.47 грн
500+ 12.07 грн
1000+ 9.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.16 грн
23+ 26.09 грн
25+ 24.05 грн
100+ 17.21 грн
250+ 15.77 грн
500+ 11.74 грн
1000+ 7.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
NDS352AP NDS352AP Виробник : onsemi / Fairchild NDS352AP_D-2317952.pdf MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 46898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.08 грн
12+ 26.34 грн
100+ 15.98 грн
500+ 12.45 грн
1000+ 10.19 грн
3000+ 8.52 грн
9000+ 8.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS352AP NDS352AP Виробник : ONSEMI 2304444.pdf Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.25 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 18004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+34.89 грн
26+ 29.36 грн
100+ 18.3 грн
500+ 14.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NDS352AP NDS352AP Виробник : ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній