NGTB20N120IHWG ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB20N120IHWG - IGBT, 40 A, 2.2 V, 341 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NGTB20N120IHWG - IGBT, 40 A, 2.2 V, 341 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 174993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
180+ | 198.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB20N120IHWG ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB20N120IHWG - IGBT, 40 A, 2.2 V, 341 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NGTB20N120IHWG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NGTB20N120IHWG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 20A 1200V TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/170ns Switching Energy: 480µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 341 W |
на замовлення 174993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
NGTB20N120IHWG | Виробник : ON Semiconductor | IGBT Transistors LC IH RC OSV |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
NGTB20N120IHWG | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 341000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
NGTB20N120IHWG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 20A 1200V TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/170ns Switching Energy: 480µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 341 W |
товар відсутній |