NGTB30N120FL2WG onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 98ns/210ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 452 W
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 58+ | 346.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB30N120FL2WG onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 240 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 98ns/210ns, Switching Energy: 2.6mJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 220 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 452 W.
Інші пропозиції NGTB30N120FL2WG за ціною від 390.55 грн до 638.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NGTB30N120FL2WG | Виробник : onsemi |
IGBT Transistors 1200V/30A FAST IGBT FSII |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| NGTB30N120FL2WG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB30N120FL2WG - TRANSISTOR, IGBT, 2V, 60A, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
NGTB30N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
NGTB30N120FL2WG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 98ns/210ns Switching Energy: 2.6mJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 452 W |
товар відсутній |