Продукція > ONSEMI > NGTB30N60FWG
NGTB30N60FWG

NGTB30N60FWG onsemi

NGTB30N60FWG.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 60A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 7834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
113+178.62 грн
Мінімальне замовлення: 113
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB30N60FWG onsemi

Description: IGBT 600V 60A 167W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 72 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns, Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 170 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 167 W.

Інші пропозиції NGTB30N60FWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NGTB30N60FWG Виробник : ON Semiconductor NGTB30N60FWG.pdf
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB30N60FWG NGTB30N60FWG Виробник : ON Semiconductor ngtb30n60fw-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N60FWG NGTB30N60FWG Виробник : onsemi NGTB30N60FWG.pdf Description: IGBT 600V 60A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 167 W
товар відсутній