Продукція > ONSEMI > NGTB30N65IHL2WG
NGTB30N65IHL2WG

NGTB30N65IHL2WG onsemi


ngtb30n65ihl2w-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 1899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
88+228.25 грн
Мінімальне замовлення: 88
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB30N65IHL2WG onsemi

Description: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 430 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/145ns, Switching Energy: 200µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 135 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 300 W.

Інші пропозиції NGTB30N65IHL2WG за ціною від 296.92 грн до 492.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NGTB30N65IHL2WG NGTB30N65IHL2WG Виробник : onsemi NGTB30N65IHL2W_D-1813241.pdf IGBT Transistors 650V/30A FAST IGBT FSII T
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+492.88 грн
10+ 437.71 грн
120+ 304.23 грн
210+ 296.92 грн
NGTB30N65IHL2WG NGTB30N65IHL2WG Виробник : ON Semiconductor ngtb30n65ihl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB30N65IHL2WG NGTB30N65IHL2WG Виробник : onsemi ngtb30n65ihl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
товар відсутній