на замовлення 450 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 628.5 грн |
| 10+ | 531.67 грн |
| 30+ | 419.15 грн |
| 90+ | 384.61 грн |
| 270+ | 362.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB75N65FL2WG onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns, Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 595 W.
Інші пропозиції NGTB75N65FL2WG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NGTB75N65FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
 |
на замовлення 379 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NGTB75N65FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
NGTB75N65FL2WG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 595 W |
товар відсутній |