Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP ON Semiconductor

ngtd13t65f2wp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 3-Pin Die WJAR
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTD13T65F2WP ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: Die, IGBT Type: Trench Field Stop, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A.

Інші пропозиції NGTD13T65F2WP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NGTD13T65F2WP Виробник : onsemi ngtd13t65f2wp-d.pdf Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товар відсутній
NGTD13T65F2WP Виробник : ON Semiconductor ngtd13t65f2wp-d.pdf IGBT Transistors IGBT, 650V 30A FS2 bare die
товар відсутній