Продукція > NEXPERIA USA INC. > NHDTA123JTR
NHDTA123JTR

NHDTA123JTR Nexperia USA Inc.

NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.44 грн
6000+ 2.18 грн
9000+ 1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHDTA123JTR Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NHDTA123JTR за ціною від 1.6 грн до 15.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NHDTA123JTR NHDTA123JTR Виробник : Nexperia USA Inc. NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 80V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.44 грн
29+ 9.6 грн
100+ 4.68 грн
500+ 3.66 грн
1000+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
NHDTA123JTR NHDTA123JTR Виробник : Nexperia NHDTA123JT_143ZT_114YT_SER-1880114.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NHDTA123JT/SOT23/TO-236AB
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.97 грн
29+ 10.75 грн
100+ 3.87 грн
1000+ 2.67 грн
3000+ 2.14 грн
9000+ 1.74 грн
24000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 20
NHDTA123JTR Виробник : NEXPERIA nhdta123jt_143zt_114yt_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 80V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній