NHUMD9F

NHUMD9F Nexperia USA Inc.


NHUMD10_13_9_SER.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 9225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.16 грн
13+ 22.11 грн
100+ 11.72 грн
500+ 7.24 грн
1000+ 4.92 грн
2000+ 4.44 грн
5000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHUMD9F Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Part Status: Active.

Інші пропозиції NHUMD9F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NHUMD9F NHUMD9F Виробник : Nexperia USA Inc. NHUMD10_13_9_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz, 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
товар відсутній
NHUMD9F NHUMD9F Виробник : Nexperia NHUMD10_13_9_SER-2886004.pdf Bipolar Transistors - BJT NHUMD9/SOT363/SC-88
товар відсутній