Продукція > ONSEMI > NIS5112D1R2G.
NIS5112D1R2G.

NIS5112D1R2G. ONSEMI


2355301.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS5112D1R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+114.01 грн
500+ 88.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NIS5112D1R2G. ONSEMI

Description: ONSEMI - NIS5112D1R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 9V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції NIS5112D1R2G. за ціною від 88.57 грн до 166.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NIS5112D1R2G. NIS5112D1R2G. Виробник : ONSEMI 2355301.pdf Description: ONSEMI - NIS5112D1R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: 9V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+166.17 грн
10+ 134.13 грн
100+ 114.01 грн
500+ 88.57 грн
Мінімальне замовлення: 5