NJD2873T4G ON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 11.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJD2873T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJD2873T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.68, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 65, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції NJD2873T4G за ціною від 10.35 грн до 38.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NJD2873T4G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 50V 2A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.68 W |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NJD2873T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.68 W |
на замовлення 5815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NJD2873T4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 50V 12.5W NPN |
на замовлення 56981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NJD2873T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJD2873T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.68 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 15800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NJD2873T4G******** |
на замовлення 57500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| NJD2873T4G | Виробник : ON |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NJD2873T4G | Виробник : ON |
0649+ |
на замовлення 968 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NJD2873T4G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 16034 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |