NJL0281DG onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 260V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 180 W
Description: TRANS NPN 260V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 180 W
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 435.77 грн |
25+ | 334.71 грн |
100+ | 299.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJL0281DG onsemi
Description: TRANS NPN 260V 15A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-5, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-264, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V, Power - Max: 180 W.
Інші пропозиції NJL0281DG за ціною від 231.9 грн до 477.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NJL0281DG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJL0281DG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 19637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NJL0281DG | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 150W THERMALTRAK PPD |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NJL0281DG | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
NJL0281DG Код товару: 174069 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
NJL0281DG | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NJL0281DG | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NJL0281DG | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |