NJL3281DG

NJL3281DG ON Semiconductor


njl3281d-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+295.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJL3281DG ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 260V 15A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-5, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-264, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції NJL3281DG за ціною від 237.87 грн до 524.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NJL3281DG Виробник : onsemi NJL3281D_D-2318086.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN BIPPWR THERM TRAK
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+524.1 грн
10+ 459.47 грн
25+ 347.85 грн
100+ 321.35 грн
175+ 277.62 грн
525+ 249.79 грн
1050+ 237.87 грн
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : ON Semiconductor njl3281d-d.pdf Trans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
NJL3281DG NJL3281DG Виробник : onsemi njl3281d-d.pdf Description: TRANS NPN 260V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній