Продукція > NJL > NJL4302DG

NJL4302DG


njl4281d-d.pdf Виробник:

на замовлення 4099 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJL4302DG

Description: TRANS PNP 350V 15A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-5, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 35MHz, Supplier Device Package: TO-264, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 230 W.

Інші пропозиції NJL4302DG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NJL4302DG NJL4302DG Виробник : ON Semiconductor njl4281d-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 15A 230000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
NJL4302DG NJL4302DG Виробник : onsemi njl4281d-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: TO-264
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 230 W
товар відсутній
NJL4302DG Виробник : onsemi NJL4281D_D-1813192.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP BIPPWR THERM TRAK
товар відсутній