NP20P06YLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 20A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2407 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 43.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NP20P06YLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 20A 8HSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2407 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NP20P06YLG-E1-AY за ціною від 38.73 грн до 114.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NP20P06YLG-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET P-CH 60V 20A 8HSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2407 pF @ 25 V |
на замовлення 4941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NP20P06YLG-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFET POWER DEVICE AUTOMOTIVE MOS 8P HSON |
на замовлення 4958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|