NP29N06QUK-E1-AY

NP29N06QUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation


np29n06quk60-v-30-dual-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP29N06QUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W (Ta), 44W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP29N06QUK-E1-AY за ціною від 61.9 грн до 144.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NP29N06QUK-E1-AY NP29N06QUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np29n06quk60-v-30-dual-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+144.43 грн
10+ 115.41 грн
100+ 91.87 грн
500+ 72.95 грн
1000+ 61.9 грн
Мінімальне замовлення: 2