Продукція > RENESAS > NP34N055SLE-E1-AY

NP34N055SLE-E1-AY Renesas


Виробник: Renesas
Description: NP34N055 - POWER FIELD-EFFECT TR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
163+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 163
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP34N055SLE-E1-AY Renesas

Description: NP34N055 - POWER FIELD-EFFECT TR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NP34N055SLE-E1-AY

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NP34N055SLE-E1-AY Виробник : Renesas Electronics MOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
товар відсутній