Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSS1C201MZ4T1G
NSS1C201MZ4T1G

NSS1C201MZ4T1G ON Semiconductor

nss1c201mz4-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C201MZ4T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції NSS1C201MZ4T1G за ціною від 13.52 грн до 62.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : onsemi nss1c201mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+16.55 грн
2000+ 14.25 грн
5000+ 13.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+37.07 грн
500+ 27.26 грн
1000+ 24.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : onsemi nss1c201mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 9388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.05 грн
10+ 36.09 грн
100+ 25.11 грн
500+ 18.4 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
228+51.43 грн
297+ 39.42 грн
300+ 39.03 грн
500+ 29.62 грн
1000+ 21.81 грн
3000+ 18.77 грн
Мінімальне замовлення: 228
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+54.97 грн
13+ 48.22 грн
25+ 47.76 грн
100+ 35.29 грн
250+ 32.36 грн
500+ 24.45 грн
1000+ 19.45 грн
3000+ 17.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : onsemi NSS1C201MZ4_D-2318371.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans.
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.09 грн
10+ 49.6 грн
100+ 33.05 грн
500+ 26.17 грн
1000+ 20.9 грн
2000+ 18.89 грн
10000+ 16.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+62.83 грн
15+ 53.02 грн
100+ 37.07 грн
500+ 27.26 грн
1000+ 24.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSS1C201MZ4T1G Виробник : Diodes Incorporated nss1c201mz4-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній