NSS20200LT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.38 грн |
| 6000+ | 5.89 грн |
| 9000+ | 5.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS20200LT1G onsemi
Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300, hazardous: true, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 300, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції NSS20200LT1G за ціною від 5.41 грн до 27.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSS20200LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW |
на замовлення 21276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS20200LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR |
на замовлення 4620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS20200LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300 hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 300 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS20200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
NSS20200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |