NSS30100LT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.54 грн |
| 6000+ | 6.96 грн |
| 9000+ | 6.26 грн |
| 30000+ | 5.79 грн |
| 75000+ | 5.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS30100LT1G onsemi
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NSS30100LT1G за ціною від 5.69 грн до 33.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSS30100LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS30100LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS30100LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS30100LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW |
на замовлення 272679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS30100LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat |
на замовлення 3537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS30100LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSS30100LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 315927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NSS30100LT1G | Виробник : ON |
09+ |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NSS30100LT1G | Виробник : ON |
SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NSS30100LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NSS30100LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |