NSS30101LT1G

NSS30101LT1G ON Semiconductor


nss30101lt1g-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS30101LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NSS30101LT1G за ціною від 5.87 грн до 29.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSS30101LT1G NSS30101LT1G Виробник : onsemi nss30101lt1g-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.54 грн
6000+ 6.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSS30101LT1G NSS30101LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013299896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+26.36 грн
37+ 20.37 грн
100+ 10.93 грн
Мінімальне замовлення: 29
NSS30101LT1G NSS30101LT1G Виробник : onsemi nss30101lt1g-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 7183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.16 грн
14+ 20.86 грн
100+ 12.52 грн
500+ 10.88 грн
1000+ 7.4 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSS30101LT1G NSS30101LT1G Виробник : onsemi NSS30101LT1G_D-2318287.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat
на замовлення 20829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.68 грн
14+ 21.96 грн
100+ 10.28 грн
1000+ 7.01 грн
3000+ 6.21 грн
9000+ 5.94 грн
24000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSS30101LT1G NSS30101LT1G Виробник : ONSEMI NSS30101LT1G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 0.71W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 900
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.71W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NSS30101LT1G NSS30101LT1G Виробник : ONSEMI NSS30101LT1G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 0.71W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 900
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.71W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товар відсутній