Продукція > ONSEMI > NSV40300MDR2G
NSV40300MDR2G

NSV40300MDR2G onsemi

nss40300md-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.19 грн
10+ 44.67 грн
100+ 34.73 грн
500+ 27.62 грн
1000+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV40300MDR2G onsemi

Description: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 653mW, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції NSV40300MDR2G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSV40300MDR2G NSV40300MDR2G Виробник : ON Semiconductor nss40300md-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NSV40300MDR2G NSV40300MDR2G Виробник : onsemi nss40300md-d.pdf Description: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
NSV40300MDR2G NSV40300MDR2G Виробник : onsemi NSS40300MD_D-2318288.pdf Bipolar Transistors - BJT DUAL MATCHED 40V PNP LOW
товар відсутній