NSV60200LT1G ON Semiconductor
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 479+ | 24.33 грн |
| 791+ | 14.73 грн |
| 799+ | 14.58 грн |
| 854+ | 13.15 грн |
| 1300+ | 8 грн |
| 3000+ | 6.98 грн |
| 6000+ | 6.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSV60200LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 460 mW.
Інші пропозиції NSV60200LT1G за ціною від 5.71 грн до 33.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSV60200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NSV60200LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NSV60200LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 60V PNP LOW VCE(SAT) XTR |
на замовлення 2968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NSV60200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
NSV60200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
NSV60200LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW |
товар відсутній |