NSVF6003SB6T1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 14.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVF6003SB6T1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Übergangsfrequenz: 7GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NSVF6003SB6T1G за ціною від 13.69 грн до 31.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSVF6003SB6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Anzahl der Pins: 6Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 7GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NSVF6003SB6T1G | Виробник : ON Semiconductor | Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NSVF6003SB6T1G | Виробник : onsemi | RF Bipolar Transistors BIP NPN 0.15A 12V FT=7G |
на замовлення 2806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NSVF6003SB6T1G | Виробник : ON Semiconductor | Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NSVF6003SB6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 20950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
NSVF6003SB6T1G | Виробник : onsemi | Description: RF TRANSISTOR, NPN SINGLE, 12 V, |
товар відсутній |