Продукція > ONSEMI > NSVMMUN2232LT1G
NSVMMUN2232LT1G

NSVMMUN2232LT1G onsemi

dtc143e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.52 грн
6000+ 3.15 грн
9000+ 2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMUN2232LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції NSVMMUN2232LT1G за ціною від 2.32 грн до 22.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVMMUN2232LT1G NSVMMUN2232LT1G Виробник : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 28431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.56 грн
20+ 13.84 грн
100+ 6.76 грн
500+ 5.29 грн
1000+ 3.68 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMMUN2232LT1G NSVMMUN2232LT1G Виробник : onsemi DTC143E_D-2310912.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 17786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.32 грн
20+ 15.35 грн
100+ 8.37 грн
1000+ 3.79 грн
3000+ 3.25 грн
9000+ 2.46 грн
24000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)