Продукція > ONSEMI > NSVMSD1819A-RT1G
NSVMSD1819A-RT1G

NSVMSD1819A-RT1G onsemi


MSD1819A_RT1_D-2316337.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+18.75 грн
20+ 15.74 грн
100+ 6.31 грн
1000+ 3.19 грн
3000+ 2.92 грн
9000+ 2.19 грн
24000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMSD1819A-RT1G onsemi

Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMSD1819A-RT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVMSD1819A-RT1G NSVMSD1819A-RT1G Виробник : onsemi msd1819a-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній