Продукція > ONSEMI > NSVMUN2212T1G
NSVMUN2212T1G

NSVMUN2212T1G onsemi

dtc124e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+15.81 грн
23+ 12.18 грн
100+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 19
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN2212T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 230 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.

Інші пропозиції NSVMUN2212T1G за ціною від 1.59 грн до 16.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVMUN2212T1G NSVMUN2212T1G Виробник : onsemi DTC124E_D-2310910.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP PBFR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 143-152 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.58 грн
25+ 12.68 грн
100+ 3.99 грн
1000+ 2.72 грн
3000+ 2.13 грн
9000+ 1.79 грн
24000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 19
NSVMUN2212T1G dtc124e-d.pdf
на замовлення 711000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVMUN2212T1G NSVMUN2212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
NSVMUN2212T1G NSVMUN2212T1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
NSVMUN2212T1G NSVMUN2212T1G Виробник : onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товар відсутній