NTB25P06T4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 151.66 грн |
| 10+ | 121.14 грн |
| 100+ | 96.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTB25P06T4G onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTB25P06T4G за ціною від 61.55 грн до 164.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTB25P06T4G | Виробник : onsemi |
MOSFET -60V -27.5A Pchannel |
на замовлення 10375 шт: термін постачання 315-324 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTB25P06T4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
NTB25P06T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTB25P06T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NTB25P06T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| NTB25P06T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27.5A; 120W; D2PAK Mounting: SMD On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 120W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: D2PAK Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Drain-source voltage: -60V Drain current: -27.5A кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| NTB25P06T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27.5A; 120W; D2PAK Mounting: SMD On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 120W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: D2PAK Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Drain-source voltage: -60V Drain current: -27.5A |
товар відсутній |