Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTBG080N120SC1
NTBG080N120SC1

NTBG080N120SC1 ON Semiconductor

ntbg080n120sc1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+483.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG080N120SC1 ON Semiconductor

Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTBG080N120SC1 за ціною від 490.22 грн до 958.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 Виробник : ONSEMI NTBG080N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+644.56 грн
10+ 532.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 Виробник : onsemi NTBG080N120SC1_D-2318382.pdf MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+789.69 грн
10+ 690.56 грн
25+ 592.52 грн
100+ 530.74 грн
250+ 525.43 грн
500+ 503.51 грн
800+ 490.22 грн
NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 Виробник : onsemi ntbg080n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+958.54 грн
10+ 847.83 грн
NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 Виробник : ONSEMI ntbg080n120sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 30A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 30
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 Виробник : onsemi ntbg080n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
товар відсутній