NTBGS004N10G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 371.84 грн |
| 100+ | 316.69 грн |
| 500+ | 283.69 грн |
| 800+ | 245.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBGS004N10G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 203A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 340W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm.
Інші пропозиції NTBGS004N10G за ціною від 231.16 грн до 501.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTBGS004N10G | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 50 V |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTBGS004N10G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm |
на замовлення 1598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTBGS004N10G | Виробник : onsemi |
MOSFET 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NTBGS004N10G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NTBGS004N10G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
NTBGS004N10G | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 203A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 50 V |
товар відсутній |