Продукція > ONSEMI > NTBLS0D7N06C
NTBLS0D7N06C

NTBLS0D7N06C ONSEMI


ntbls0d7n06c-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 314W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+525.75 грн
100+ 429.88 грн
500+ 352.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBLS0D7N06C ONSEMI

Description: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 470A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 314W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm.

Інші пропозиції NTBLS0D7N06C за ціною від 295.25 грн до 662.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTBLS0D7N06C NTBLS0D7N06C Виробник : onsemi ntbls0d7n06c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+576.3 грн
10+ 475.4 грн
100+ 396.17 грн
500+ 328.05 грн
1000+ 295.25 грн
NTBLS0D7N06C NTBLS0D7N06C Виробник : onsemi NTBLS0D7N06C_D-2318754.pdf MOSFET NFET TOLL 60V 0.75MO
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+638.68 грн
10+ 539.73 грн
25+ 468.66 грн
100+ 391.22 грн
250+ 383.21 грн
500+ 338.48 грн
1000+ 304.43 грн
NTBLS0D7N06C NTBLS0D7N06C Виробник : ONSEMI ntbls0d7n06c-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 314W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+662.05 грн
10+ 525.75 грн
100+ 429.88 грн
500+ 352.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTBLS0D7N06C Виробник : ON Semiconductor ntbls0d7n06c-d.pdf
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTBLS0D7N06C NTBLS0D7N06C Виробник : onsemi ntbls0d7n06c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
товар відсутній