Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTD18N06LT4G
NTD18N06LT4G

NTD18N06LT4G ON Semiconductor

ntd18n06l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD18N06LT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTD18N06LT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.054 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTD18N06LT4G за ціною від 27.84 грн до 89.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : onsemi ntd18n06l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.42 грн
5000+ 28.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : ON Semiconductor ntd18n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
164+71.67 грн
170+ 69.21 грн
216+ 54.39 грн
250+ 51.9 грн
500+ 42.54 грн
Мінімальне замовлення: 164
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : onsemi ntd18n06l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 12476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.83 грн
10+ 59.88 грн
100+ 46.56 грн
500+ 37.03 грн
1000+ 30.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : ON Semiconductor ntd18n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+80.37 грн
10+ 66.55 грн
25+ 64.27 грн
100+ 48.71 грн
250+ 44.62 грн
500+ 37.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : onsemi NTD18N06L_D-2318500.pdf MOSFET 60V 18A N-Channel
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.9 грн
10+ 67.87 грн
100+ 45.93 грн
500+ 38.92 грн
1000+ 31.71 грн
2500+ 29.84 грн
5000+ 27.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : ONSEMI 2355009.pdf Description: ONSEMI - NTD18N06LT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.054 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+89.87 грн
11+ 69.65 грн
100+ 50.4 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : ON Semiconductor ntd18n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD18N06LT4G Виробник : ONSEMI ntd18n06l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NTD18N06LT4G Виробник : ONSEMI ntd18n06l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній