NTD4808N-1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4808N-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0067 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 71.67 грн |
| 18+ | 43.66 грн |
| 100+ | 39.84 грн |
| 500+ | 33.45 грн |
| 1000+ | 23.62 грн |
| 5000+ | 23.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD4808N-1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4808N-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0067 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54.6W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції NTD4808N-1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD4808N-1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
NTD4808N-1G | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET 30V 63A 8MOHM |
на замовлення 16703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NTD4808N-1G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 126A; 54.6W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A Pulsed drain current: 126A Power dissipation: 54.6W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 11.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| NTD4808N-1G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 126A; 54.6W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A Pulsed drain current: 126A Power dissipation: 54.6W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 11.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |