NTD6416ANT4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 32.73 грн |
5000+ | 30.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD6416ANT4G onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTD6416ANT4G за ціною від 28.95 грн до 85.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTD6416ANT4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTD6416ANT4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTD6416ANT4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTD6416ANT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
на замовлення 8143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTD6416ANT4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTD6416ANT4G | Виробник : onsemi | MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO |
на замовлення 44612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTD6416ANT4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTD6416ANT4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 71W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 71W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 81mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTD6416ANT4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 71W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 71W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 81mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |