Продукція > ONSEMI > NTDV5805NT4G
NTDV5805NT4G

NTDV5805NT4G onsemi


NTD5805N,NVD5805N.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
на замовлення 14538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
833+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 833
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTDV5805NT4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 51A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTDV5805NT4G за ціною від 26.68 грн до 26.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTDV5805NT4G NTDV5805NT4G Виробник : ONSEMI NTD5805N-D.PDF Description: ONSEMI - NTDV5805NT4G - NTDV5805NT4G - MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTDV5805NT4G NTDV5805NT4G Виробник : ON Semiconductor NTD5805N-D-844723.pdf MOSFET NFET 40V 51A 9.5MOHM
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTDV5805NT4G NTDV5805NT4G Виробник : onsemi NTD5805N,NVD5805N.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товар відсутній