NTE2395 NTE Electronics, Inc
Виробник: NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 395.03 грн |
| 10+ | 361.62 грн |
| 20+ | 342.15 грн |
| 50+ | 303.48 грн |
| 100+ | 296.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2395 NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A TO220, Packaging: Bag, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTE2395 за ціною від 288.6 грн до 498.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTE2395 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NTE2395 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NTE2395 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |