NTE2399 NTE Electronics, Inc
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2399 NTE Electronics, Inc
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 2A, Pulsed drain current: 12A, Power dissipation: 125W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE2399
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTE2399 | Виробник : NTE Electronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
NTE2399 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |