NTE455 NTE Electronics
Виробник: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 25mA; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25mA
Power dissipation: 0.2W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: depleted
Features of semiconductor devices: dual gate; ESD protected gate
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 187.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE455 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 25mA; 200mW, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: RF, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 25mA, Power dissipation: 0.2W, Gate-source voltage: ±10V, Kind of channel: depleted, Features of semiconductor devices: dual gate; ESD protected gate, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE455 за ціною від 123.51 грн до 187.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTE455 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 25mA; 200mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 20V Drain current: 25mA Power dissipation: 0.2W Gate-source voltage: ±10V Kind of channel: depleted Features of semiconductor devices: dual gate; ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTE455 | Виробник : NTE Electronics, Inc |
Description: MOSFET-DUAL GATE N-CH |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |