Технічний опис NTGS3446T1 ON
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V.
Інші пропозиції NTGS3446T1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NTGS3446T1 | Виробник : ON |
 07+; |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NTGS3446T1 | Виробник : ON |
09+ |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NTGS3446T1 | Виробник : ON |
09+ ORIGIN |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NTGS3446T1 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
|
|
NTGS3446T1 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
 |
NTGS3446T1 | Виробник : onsemi |
MOSFET 20V 5.1A N-Channel |
товар відсутній |